devise是什么意思ise的用法读音典

ISE入门手册

第一章ISE简介

1.1关于ISENEWS

1.1.1ISECEO的话

作为ISE的创立者和CEO，我很骄傲地展示我们地最新版本——ISENEWS。

通过这个news字母，ISE的全体工作人员想告诉你我们公司的地位和新的发展

计划，以便使你产生兴趣。

ISE优秀的性能和软件产品质量的显著增长、最好的技术支持、咨询服务是我

们全体工作人员最好的礼物。为了与这种增长相协调，截至2004年六月ISE的

全体员工增加到100人左右。

在news这个版本中，我们提供了几个3岁唐诗必背30首 各领域中大家感兴趣的应用例子，比如：

100nm以下CMOS和三维的非易失存储器结构的生成和网格剖分，垂直腔面发

射激光器（VCSEL）的优化以及现代CMOS图像传感器的特性模拟。VCSEL的

部分由我们的客户和我们的研究咨询人员合作完成，是连接工业、学术和ISE一

个成功的例子。

我相信你将喜欢这个news字母和它的内容。为了得到进一步的信息，请访问

我们的网站。向大家表示最好的祝愿。

WolfgangFichtner

1.1.2ISE剧烈的增长路线

通过对重要人力和资源的计划和投资考虑，将继续扩大ISE商业和利益。从

2001开始，在2002里有38％的增长，在2003年的进程中――ISE公司的十周

年纪念日，ISE在网络规模中额外地增长了41％。这种增长在2004年里将会继

续下去，预期网络规模将增长35％。咨询和客户工程服务已经是ISE最重要的

发展部门。这种有力的增长是以企业根基为基础。除了在全球范围内赢得主要的

新客户外，ISE正繁荣昌盛，因为长期支持ISE的客户反复地表示他们对ISE的

忠诚和他们对ISE能力的信任，并表达了这种结果。通过强有力的支持和ISE不

断的培养强有力的商业关系，ISE努力使每一个客户得到满意。

图1.1ISE集成系统的应用情况

当今ISE已经成功进入光电子学市场。除了ISETCADTM软件引导客户的这

种规模外，ISE可以在工业环境中毫无疑问地建立ISE光电子学的标准，另外一

个强调的重点是满足CMOS传感器件压倒性的需求。在制造伙伴关系上，TCAD

成功地继续进行着，这个部门的新产品已经在2004年下半年引入。ISE所提供

的咨询和客户工程服务的质量主要是由于ISE团队高质量并且很精细的科学和

引擎――一个真正的TCAD思想利器。对ISE来说，客洛阳亲友如相问一片冰心在玉壶的意思 户相关的工程是把ISE

怎么知道的传给客户最好的媒介。客户的专门项目在增长，ISE提供的新工具的

趋势也在增长，ISE确信将在可以预见的未来中、在有前途的道路上继续前进。

1.1.3应变硅CMOS器件的模拟

每一种新的提高硅CMOS器件性能技术的出现，都是在几何尺度方面改进的

基础上实现的。为了减少短沟道效应，这就要求增加沟道的掺杂浓度和垂直电场

强度。然而在几何尺度这两方面的改变，因为杂质散射和高场饱和会影响载流子

的迁移率。这样就减少了驱动电流的提高。解决这个问题可采取的办法是，通过

改变沟道材料引入应力来增加载流子的迁移率。

最近，英特尔发表了不同的方法，是在PMOS器件的源和漏中加入SixGe1-x

层，该层可以在沟道中产生相当的压缩应力。NMOS器件的制造采用标准的

NMOS器件工艺流程。只是最后在源、漏和栅区域淀积一层高拉伸应变的氮化

硅，这会在沟道中产生拉伸应力。上面的两种方法，都是利用应力来提高晶体管

的性能。

ISETCADTM有各种所需的模型，可以完成对应变硅和锗硅器件的工艺和器件

模拟。为了显示ISETCAD对应变硅的处理能力，我们给出了应变硅CMOS器

件的工艺和器件的模拟，Intel有相似的工艺技术报道【1】。

TMFLOOPS－ISE反映了应变硅和锗硅结构的特殊模型。在这个模型中，把

在应变和弛豫的SiGe中锗含量和边界部分作为输入考虑。基于以上信息，在

模拟过程中不断地更新。FLOOSE－ISE自动计算在这种结构中的晶格失配和应

力分布。所以，这个模型考虑到了由锗的扩散引起的材料组分和应力变化的影响。

这个应力可以通过解力学方程计算。这个模型可以模拟PMOS晶体管。

在FLOOPS-ISE中锗在高温退火的时候再分布，在模拟过程中被认为是锗扩散

的一部分。当然锗的再分布也影响到了其他部分的扩散。FLOOPS-ISE从三方面

考虑到这种影响。首先，锗的加入使硅的禁带宽度变窄，第二，锗改变了硅矩阵

的热力学平衡，也即是说锗的加入改变了材料点缺陷的平衡。第三，锗和硼结合

成一对，这些硼化锗具有电活力，但是不可以移动。

这所有三方面中锗对杂质扩散的影响端午节的谚语 ，在默认模型中都考虑了。除了上面提到

的在结构中锗的影响，应力改变了晶格的平衡。例如，压应力增加了空位的平衡

浓度、减少了填隙位置的平衡浓度。在双扩散模型中，FLOOPS-ISE会自动记入

点缺陷浓度的改变对失主杂质扩散的影响。

默认中，应力在每一步的工艺模拟中都计算，包括基于FLOOPS-ISE中粘弹模

型的氧化工艺。这个模型专门用于NMOS晶体管中淀积高拉伸应力层之后的计

算。

器件模拟由DESISTM执行。两个特殊的应变模型描述了应力对载流子传输的

影响。Egley应变硅迁移率模型和BirPikus模型都描述了应力对能带的影响。

在PMOS源漏区域中引入了锗硅层，假设DESSIS据此在异质结表面处自动

计入异质结传输。

NMOS晶体管

图1显示了在应变硅NMOS晶体管中杂质分布的全景视图，为了加强说明帽

层引起的应力分布，可以使用控制模拟，假设淀积的帽层弛豫的生长而且不会引

起明显的应力。

图2给出了高拉伸应力帽层器件和弛豫帽层器件之间的比较。结果说明帽层中

的应力导致了沟道中的拉伸应力。

具有高拉伸应力帽层的晶体管与弛豫帽层的相比饱和电流Idsat提高了大约

16％的。源自于氧化和其它的工艺过程中的常规应力，对电子输运的影响很小。

在我们所讨论的技术中，在晶体管中没有使用新的材料。因此，阈值电压和亚

阈值电流在应变和非应变器件中非常的类似。很小的大约13mV的改变是应力引

起禁带减少的结果。

PMOS晶体管

图3说明了应变硅PMOS晶体管中掺杂浓度分布以及锗硅层的位置分布。

锗硅层大约60纳米深，是在汉语拼音字典 空间结构形成之后源和漏注入和退火之前，外延

生长Si0.83Ge0.17形成的。为了便于比较，模拟了没有锗硅层的可控PMOS晶

体管特性。图4显示了有和没有锗硅层两种结构的器件模拟。Si0.83Ge0.17层的

存在使得器件结构的不同区域产生了压缩应力，尤其是在沟道处更明显。

器件结构中的锗和应力的出现改变了所有杂质的扩散过程。图5比较了在上面

所提到的两种器件结构中杂质最终的分布剖面。可以明显的看见最终参杂分布的

不同。在应力器件中，硼的扩散很多。沟道中的压缩应力增加了空隙位置的浓度，

通常硼就是通过空隙位置扩散的，这就导致了硼扩散系数的有效增加。而且，在

硼的高浓度区是锗增加了硼的扩散系数。器件中的应力将饱和电流Idsat提高了

16％。想得到详细的信息，请访问ISE网站：。

1.1.4非易失性存储器的网格生成和几何尺寸

非易失性存储器（NVM）的模拟，比如一次性电擦除可编程记忆器件

（EEPROM），在许多模拟的过程中已经很困难甚至是不可能，它是由几何结构

生成、网格生成和器件模拟组成。

随着DEVISETM的迅速发展，使得制造复杂度高的几何结构成为可能。对于

NVM，在接近沟道的区域建立正确的浅隔离沟道形状模型是非常重要的。除此

之外，栅极氧化层的过度刻蚀不能通过晶面形状来体现，仅仅是因为隧穿电流主

○对使用任意的曲线和形状提供了要依靠这些形状。DEVISE建立的基础

ACISR库

很多选择，比如，圆形和线条形。

Figure1和Figure2显示了在DEVISE中生成多个单元的结果。Figure1显示了

它的全景视图，Fi虾的拼音 gure2显示了由NOFTSET3DTM生成的网格，由于对称关系，

仅仅构造了八分之一的结构，通过多次的镜像可以得到完整的结构。网格可包含

的结点数在60000到100000之间，这取决游山西村是什么诗 于对模拟的预估。对于NVM来说，

NOFTSET3D是非常有用的，因为它可以可靠地为圆形的和非轴心结构产生网

孔。在沟道区域中各项异性层结撒组词语 构有助于减少结点的数量。

在第二种情况中，研究了圆形氧化层过度蚀刻对Fowler–Nordheim隧穿电流的

依赖。DEVISE的脚本语言使结构参数化和研究参数的影响变得简单。Figure3

显示了应用到DEVISE的圆形结构，Figure4显示了在DESSISTM模拟中擦除单

元的隧道电流。由于Fowler–Nordheim隧道取决于氧化层中电场的数量，希望电

流主要流经靠近源接触面的氧化层边缘。进一步的说，最高的电流在这个边沿的

两个末端部分，靠近过度刻蚀的圆形区域。过一段时间可以知道，但是这些效应

可以通过ISETCADTM定量地分析尊敬的近义词是什么 。

1.1.5直观的视图工具:Tecplot

ISETCADTM10.0发行版本以Tecplot基础将ISE呈现为可视化工具以全新的、

现代的界面。主菜单体系和传统的Tecplot工具条菜单被ISE设计取代。对那些

寻求更简单更直觉的界面用户来说，新的设计是第一次巨大的反馈，这是一个更

专业设计的TCAD。

新的工具条菜单包括以前TCAD工具控制面板的所有元素，它结合了Tecplot

工具条菜单经常使用的元素。最显著的在于清晰的、多彩的底部，这使用户界面

更直接化，帮助用户更有效率地工作。菜单体系的重新设计目的在于把Tecplot

丰富并且强大的功能配置成TCAD视野。与Tecplot原来的菜单系统相比较，新

的菜单条目减少了20％。

在新的设计当然更多吸引ISETCAD用户的主体时，一些有经验的用户通过多

种途径了解Tecplot的全部特征，也许更偏爱传统的界面。通过专门的命令条选

项-ise：native使其变得可能。当用新界面工作时，也可以在传统的菜单和新的

ISETCAD侧条菜单间进行转换。

ISE将继续在用户界面优化方面的努力。不久之后强大的焦点将会集中在针对

具体任务减少用户界面的复杂度上。ISE欢迎用户这方面的反馈。关于Teplot更

多的信息，请访问网站。

1.2ISE的软件工作平台

GENESISe可以将所有的模拟工程分为几个独立的部分，然后在计算机网络上

同时执行。它内部有一个工程调度程序，可以从PlatformComputingInc中进入

LoadSharingFacility(LSF)。

反复优化的收敛过程COMS中关键参数的影

响

LIGAMENT流编辑LIGAMENT版图编辑

LIGAMENT允许用户采集来自各种不同资源的输入

在Tecplot@上添加Tecplot-ISE

特点和性能

GENESISe

.组织模拟工程

.全面的模拟参数

.工程调度

.网络计算

.工程的各个部分可并行完成

.可以结合第三方工具的开放性结构

OptimISE

.用户干预最小的大规模模拟的自动化和简单化

.全面支持实验和响应界面模型的设计

.迭代优化

.灵敏度分析和不确定性分析

LIGAMENT

.用于工艺模拟的高级环境

.编辑模拟流程和版图设置的用户图形界面

.支持工艺库和模拟步骤的设计流程的分层实现

.模拟区域的图层定义

Tecplot-ISE

.一维，二维，三维绘图

.完全支持高级可视技术

.交互式操作和数据可视化

.强大的语言能力

.高质量的打印输出

INSPECT

.X-Y数据的可视性和分析性

.曲线估算

.特征数据的提取

.通过Tcl脚本语言全面的可编程性

1.3TCADFabIntegration

TCADFabIntegration使ISETCAD内嵌于半导体产品的MES（manufacturing

executionsystems）.

链接到ISETCAD的工艺流程存储在fab中，用于基于物理学的工艺和器件模

拟。这使得器件的特性与工艺设置通过模拟联系起来。

使用ISE工具进行的统计数据分析改进了工艺和生产控制（processcontroland

yieldenhancement）

报告包含在TCADFabIntegration中。模拟结果可以通过使用基于Web的模板

得到。这改善了工艺引擎和TCAD引擎之间的通信和联系。

优点：

1更快的技术开发

2基于TCAD的质量控制

3更少的实验

4更短的研发时间（time-to-volume）和产品上市时间

5改善了工艺引擎和TCAD引擎之间的联系

特性：

TCADFabLink

1ISETCAD-MES界面

2来自于fab数据的模拟输入

3维护服务

4采用开放的结构体系

5使用LIGAMENT,theISEprocessfloweditor和processor

6工艺流程和生产（recipe）数据转换为LIGAMENTSPR语言

Reporting

1自动生成模拟报告

2外部和制造分析软件之间的链接

3为以下几个生成模型报告

-器件结构和特性

-SPICE参数

-测量比较模拟

-静态分析

SoftwareIntegration

IS敝怎么读 ETCAD的用户定制含有雪的诗句有哪些 解决方案

-客户咨询

-执行

-产品服务和支持

SoftwareEngineering

用户导向的软件开发

-外部模拟工具lithography（光刻）,etching（刻蚀）和deposition（淀积）在ISE

TCAD中的集成

-参数提取

1.4TCADFabpackage

为了提供更多的实用功能，ISE综合设计系统已经开发出了一套测试数据库和

仿真程序包，这些数据库和仿真程序包用来校准半导体制造设备。工艺CAD

（TCAD）涵盖了目前最先进的工艺，主要用于基于物理的校准。

工艺CAD程序包为用户提供了一种评估和优化工艺条件的快速，精确，可靠

的方法。TCAD提供了工艺参数对电子器件数据影响的预分析。此外，它还可帮

助工艺工程师来调节不同控制参数下的工艺灵敏度，使工程师能够快速优化工

艺。

用于制造业的TCAD为工艺和设计的发展提供了省时、廉价的工具。性能：

1.可靠的相关测试数据库。

2.精确和稳定的工艺仿真。

3.针对电子器件数据的多种工艺参数的分析。

4.自动可视化和报告分析。

5.用户特殊数据的简易综合。

6.对附加实验数据的方便快速校准模型。

优点：1.基于半导体制造业的TCAD具有校准性和预测性。

2.对工艺处理的分析和优化是快速廉价的。

3.消除了冗长的系统程序和多次测试晶片。

实验数据库：

1.针对先进的深亚微米NMOS和PMOS工艺，提供了一系列应用材料的工艺

实例。

2.由QUANTUM公司提供和以实时监测系统应用的应用材料实验数据。

3.每个示例包含一个或多个次级离子质谱法的测试，且这些例子由剖面掺杂浓

度来模拟。

先进的校准参数：

工艺模拟的校准是基于应用材料的实测数据和ISE模拟的数据来完成

的。

的校准参数是独立于其工艺处方的。

TCAD环境：

基于数据库和TCAD工具的图形用户界面：

——GENESISe实验数据浏览器和项目管理。

——MERGER工艺流程工具。

——ISE工艺仿真器。

——DESSIS器件仿真器（可选）。

——ISE的可视化和检查报告工具。

应用示例：

完整的0.1m的CMOS工艺，TCAD工具所包含的参数是基于ISE工艺仿真

器和器件仿真器DESSIS的。

服务和支持：

为追求最先进的技术，TCAD致力于改善精确性和可预测性，在这方面做出了

长期持久的努力。